Un nuovo Dothan, o l'evoluzione del Banias, continua
Inoltre, il nuovo processo produttivo permette l’implementazione di più transistor sulla stessa superficie. Mentre gli sviluppatori sono stati in grado di inserire 77 milioni di transistor, inclusa la cache L2 da 1 Mb, in una superficie di 82.8 mm², con il Dothan è stato possibile inserire 140 milioni di transistor inclusa la cache L2 di 2 MB in una superficie di 83.6 mm². Con circa la stessa superficie, il numero dei transistor è aumentata dell’80%. La cache L2 occupa il 56% dell’intera area.
Die Dothan: 2 MB di cache L2
Die Banias: 1 MB di cache L2
La tecnologia “Strained silicon” utilizzata per il Prescott fa il suo debutto nel campo mobile con il Dothan. Questa tecnologia consiste nel depositare uno strato di cristalli di silicio nell’area sottostante al gate del transitor, permettendo così una maggior mobilità degli elettroni che si muovo nel canale tra il source e il drain. La maggior mobilità degli elettroni permette quindi un cambio di stato dei transistor più veloce. Tradotto in parole povere, questa tecnologia permette di cloccare i processori a velocità più elevate.
Teoricamente, l’utilizzo dei 90 nanometri e dello strained silicon, combinati con 2 MB di cache L2, permettono la produzione di processori più veloci e meno succubi di energia. In teoria, sulla carta, il processore Dothan dovrebbe consumare circa 21 watt, meno del suo predecessore.
| Intel Pentium-M 755 | Intel Pentium-M 745 | Intel Pentium-M 735 | Intel Pentium-M 1.70 GHz | |
| Price | $637 | $423 | $294 | $294 |
| Processor Frequency | 2.00 GHz/ 600 MHz | 1.80 GHz/ 600 MHz | 1.70 GHz/ 600 MHz | 1.70 GHz/ 600 MHz |
| Package Type | Micro-FCPGA | Micro-FCPGA | Micro-FCPGA | Micro-FCPGA |
| Transistors | 140 Mio. | 140 Mio. | 140 Mio. | 77 Mio. |
| FSB Speed | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
| L1-Cache | 32 KB/32 KB | 32 KB/32 KB | 32 KB/32 KB | 32 KB/32 KB |
| L2- Cache | 2048 KB | 2048 KB | 2048 KB | 1024 KB |
| L2 Cache Speed | 2.00 GHz | 1.80 GHz | 1.70 GHz | 1.70 GHz |
| Bus/ Core Ratio | 20 | 18 | 17 | 17 |
| Core Voltage | 1.340 V/ 0.988V | 1.340 V/ 0.988V | 1.340 V/ 0.988V | 1.484 V/ 0.956 V |
| Thermal Design Power | 21 W/ 7.5 W | 21 W/ 7.5 W | 21 W/ 7.5 W | 24.5 W/ 6 W |
| Sleep Power | 3.2 W | 3.2 W | 3.2 W | 1.7 W |
| Deep Sleep Power | 2.5 W | 2.5 W | 2.5 W | 1.1 W |
| Deeper Sleep Power | 0.8 W | 0.8 W | 0.8 W | 0.55W |
| Manufacturing process | 90 nm | 90 nm | 90 nm | 0.13 micron |
| Die Size | 84mm² | 84mm² | 84mm² | 83 mm² |
Dati tecnici: Dothan vs. Banias
Intel ha lasciato la velocità del front side bus (FSB) invariata. La presentazione del Dothan con velocità di FSB maggiori di 133 MHZ (533 MHz quad-pumped) è posticipata per la seconda metà dell’anno. Per quel momento, dovrebbe essere pronta una nuova piattaforma, ricca di novità come: dual-channel DDR2, PCI Express, scheda grafica DX9 integrata, audio Intel ad alta definizione, modulo WLAN Calexico (a/b/g), ExpressCard, Intel Display Power Saving Technology 2,0 e Ambient Light Sense Support.