Samsung ha annunciato di aver avviato la produzione di massa della prima memoria da 128 GB basata sullo standard Universal Flash Storage (UFS) 2.0, recentemente ratificato dalla JEDEC.
Questa memoria, disponibile anche in versioni da 64 e 32 GB, è indirizzata alla "prossima generazione di smartphone di fascia alta", secondo il produttore sudcoreano. Le eMMC rimarranno, per ora, il punto di riferimento per gli smartphone di fascia media e bassa.
La memoria Universal Flash Storage (UFS) 2.0, secondo Samsung, offre prestazioni in lettura e scrittura sequenziale tali da rivaleggiare con gli SSD. Al tempo stesso questa memoria sarà in grado di consumare il 50% meno di una memoria eMMC.
"Oltre a un avvio più veloce la prossima generazione di archiviazione flash offre un tempo di risposta ai dati in ingresso e uscita più rapido, prestazioni nella copia di file tre volte migliori e un multitasking tre volte più rapido".
Secondo Samsung ci sono due fattori in particolare che permettono alla memoria UFS di avere prestazioni superiori alla eMMC. Il primo è che UFS ha un'interfaccia seriale LVDS (Low-Voltage Differential Signaling) con un path di lettura e scrittura dedicato separato.
"Questo permette un'interazione a due vie (full duplex), ossia l'UFS può leggere e scrivere nello stesso momento. La eMMC, d'altro canto, ha un'interfaccia parallela che può inviare dati in una sola direzione alla volta - può leggere o scrivere, ma non nello stesso momento".
![]() | Samsung Galaxy Note 4 da 32 GB | |
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Il secondo vantaggio è che l'UFS ha una caratteristica chiamata Command Queue (CQ), che ordina i comandi che devono essere eseguiti. Così, possono essere indirizzati più comandi nello stesso momento e l'ordine delle operazioni può essere modificato di conseguenza. La memoria eMMC senza CQ deve aspettare che un processo sia completato prima di passare al successivo.
Questo è vero però solo per le eMMC fino alla versione 5.0, il recente aggiornamento della specifica alla versione 5.1 ha introdotto il CQ (Command Queue) anche in questo standard. "Questi due benefici permettono alle soluzioni UFS 2.0 di avere prestazioni in lettura e scrittura sequenziale, oltre che in lettura e scrittura casuale, più veloci rispettivamente di 1,4, 1,66, 2,71 e 1,07 volte rispetto alle eMMC 5.0".
Il package di memoria, secondo Samsung, può essere inoltre impilato direttamente su un chip logico, occupando così circa il 50% in meno di spazio. In poche parole l'azienda afferma che può creare una soluzione ePoP.