Micron ha annunciato, nella giornata di ieri, il primo chip 3D NAND a 232 strati, che l’azienda intende impiegare per diversi prodotti, tra cui, ovviamente, gli SSD. Il dispositivo, basato sull’architettura CMOS under array (CuA), utilizza la tecnica NAND string stacking per impilare due array di 3D NAND uno sull’altro. Il chip, dalla struttura 3D NAND TLC, ha una capacità di 1Tb, pari a 128GB, e, grazie all’impiego di 232 strati, sarà possibile ridurre le dimensioni del die, portando a una diminuzione dei costi di produzione e, di conseguenza, prezzi minori per gli utenti finali.

Purtroppo, al momento l’azienda non ha diffuso dati tecnici precisi, ma i chip 3D NAND TLC 232L dovrebbero offrire prestazioni più elevate rispetto a quelli 3D NAND tuttora in commercio, caratteristica fondamentale per sfruttare maggiormente l’interfaccia PCI Express 5.0. Inoltre, le memorie avranno bisogno di meno energia, fornendo un ulteriore vantaggio soprattutto per il loro impiego in dispositivi mobili (come i notebook).

Scott DeBoer, executive vice president of technology and products di Micron, ha affermato:

Abbiamo ottimizzato la tecnologia [NAND 3D a 232 strati] in base a ciò che ci serve per realizzare la NAND più veloce al mondo e i prodotti SSD per datacenter e clienti. La combinazione di controller, sia interni che esterni, è un elemento importante della nostra attenzione all’integrazione verticale dei prodotti per garantire l’ottimizzazione della tecnologia NAND e dei controller in base a ciò che ci serve per offrire prodotti leader in futuro.

Micron prevede di aumentare la produzione di questi chip verso la fine del 2022, mentre i primi dispositivi equipaggiati con le memorie a 232 strati arriveranno sul mercato nel corso del prossimo anno.

Oggi vi abbiamo riferito che anche WD sta lavorando ai suoi chip di memoria BiCS 3D NAND di nuova generazione. Per ulteriori dettagli, vi rimandiamo al nostro precedente articolo dedicato.