Il settore delle memorie ad alta velocità si prepara a una battaglia senza precedenti, con NVIDIA che ha chiesto ai suoi fornitori di superare gli standard ufficiali JEDEC per le memorie HBM4. La richiesta dell'azienda di Santa Clara punta a stack da 10Gb/s per pin per la sua piattaforma Vera Rubin del 2026, una mossa strategica che anticipa l'arrivo dei sistemi AMD MI450 Helios di nuova generazione. Secondo quanto riportato da TrendForce, questa accelerazione tecnologica potrebbe ridefinire gli equilibri nel mercato dell'intelligenza artificiale e del calcolo ad alte prestazioni.
La corsa alla velocità: oltre i limiti standard
Le specifiche JEDEC per le memorie HBM4 stabiliscono una velocità di 8Gb/s per pin, che garantisce quasi 2 TB/s attraverso la nuova interfaccia a 2.048 bit per ogni singolo stack. L'obiettivo di NVIDIA è più ambizioso: raggiungere i 10Gb/s per pin significherebbe toccare quota 2,56 TB/s per stack. Con sei stack installati, una singola GPU raggiungerebbe i 15 TB/s di banda passante, cifre che aprono scenari inediti per l'elaborazione parallela.
La configurazione Rubin CPX, ottimizzata per i carichi di lavoro di inferenza più impegnativi, promette 1,7 petabyte al secondo su un rack NVL144 completo. Ogni incremento nella velocità dei pin riduce la necessità di margini di sicurezza altrove nel sistema, permettendo a NVIDIA di raggiungere questi obiettivi con maggiore efficienza.
I rischi dell'innovazione accelerata
Spingere le memorie HBM4 a 10Gb/s non è però un percorso privo di ostacoli. Velocità di I/O superiori comportano consumi energetici più elevati, timing più ristretti e maggiore stress sul die di base. TrendForce evidenzia che NVIDIA potrebbe essere costretta a segmentare le SKU Rubin in base al livello delle memorie HBM, qualora i costi o i problemi termici diventassero critici.
Lo scenario più probabile prevede parti da 10Gb/s riservate alla versione Rubin CPX, mentre la configurazione standard si accontenterebbe di stack a velocità inferiore. Come piano di riserva, l'azienda ha già messo in conto qualificazioni scaglionate dei fornitori e finestre di validazione estese per migliorare le rese produttive.
La strategia Samsung: nodo avanzato contro volume
Samsung ha adottato un approccio più aggressivo nella migrazione dei nodi produttivi. Le sue memorie HBM4 utilizzeranno il processo 4nm FinFET, un nodo di classe logica progettato per supportare frequenze di clock superiori e consumi di commutazione ridotti. Questa scelta tecnica potrebbe garantire a Samsung un vantaggio nel segmento high-end, anche se SK Hynix dovesse mantenere volumi di spedizione superiori.
Micron ha confermato la campionatura di memorie HBM4 con interfaccia a 2.048 bit e banda passante superiore ai 2 TB/s, ma non ha ancora chiarito se i 10Gb/s rientrino nei suoi obiettivi di sviluppo. La competizione tra i tre principali produttori di memorie si intensifica mentre NVIDIA definisce i requisiti per la prossima generazione di GPU.
AMD prepara la risposta con Helios
Il sistema MI450 di AMD rimane ancora in fase di sviluppo, ma le specifiche delle memorie sono già note. I rack Helios dovrebbero supportare fino a 432GB di HBM4 per GPU, offrendo ad AMD la possibilità di eguagliare o superare NVIDIA in termini di capacità grezza. Con l'architettura CDNA 4, l'azienda di Sunnyvale ottiene anche aggiornamenti architetturali mirati direttamente al vantaggio di Rubin nell'inferenza.