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Tramite un comunicato sul suo sito ufficiale, SK Hynix ha annunciato la sua ultima generazione di 3D NAND, ora disponibili con 176 strati Triple-Level Cell (TLC). È il secondo produttore di NAND a raggiungere questo risultato dopo Micron.
Si tratta della terza generazione a presentare il design PUC (Periphery under Cell) per ridurre le dimensioni del die inserendo la logica delle periferiche al di sotto dell'array di celle di memoria, in modo simile al design CMOS Under Array di Intel e Micron. La compagnia si riferisce a questa tecnologia come "4D NAND". Tra le novità, troviamo un aumento del 35% della produttività dei bit (solo leggermente inferiore a quanto teoricamente possibile con il salto da 128 a 176 strati) e un aumento del 20% della velocità di lettura delle celle. La velocità I/O massima tra i die NAND ed il controller SSD è stata aumentata da 1.2GT/s (NAND a 128 strati) a 1.6GT/s (NAND a 176 strati).
SK Hynix prevede di utilizzare inizialmente le memorie su prodotti destinati al mercato mobile, i quali offriranno velocità di lettura più elevate del 70% e velocità di scrittura maggiori del 35%, che verranno introdotti sul mercato intorno alla metà del prossimo anno, mentre successivamente arriveranno SSD consumer ed enterprise. La compagnia prevede inoltre di introdurre die da 1Tbit basati sul loro processo a 176 strati.
Guardando alle proposte concorrenti, i colleghi di Anandtech ricordano che le NAND a 144 strati di Intel dovrebbero arrivare all'inizio del prossimo anno, mentre il debutto delle NAND a 112 strati di Kioxia/Western Digital dovrebbe essere imminente. Le NAND a 128 strati di Samsung sono utilizzate negli SSD 980 PRO già da qualche mese, mentre si prevede che il numero di strati dovrebbe aumentare sino a 176 dalla prossima primavera.
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