In questi giorni sembra esserci aria di novità nel mercato delle memorie: dopo l’annuncio di Micron delle nuove LPDDR4X da 12 Gbit, oggi è il turno di SK Hynix, che annuncia delle nuove DDR4 da 8 Gbit.

Le nuove memorie dell’azienda sudcoreana sono prodotte con tecnologia 1Ynm e sarebbero in grado di garantire il 20% di produttività in più, consumando il 15% in meno rispetto a quelle 1Xnm di precedente generazione. Non è chiaro cosa intenda Hynix con il termine “produttività”.

Con 1Xnm ci si riferisce a memorie prodotte tra 16 e 19 nm, con 1Ynm a quelle tra 14 e 16 nm e con le future 1znm alle DRAM realizzate con un processo tra 12 e 14 nm.

Le nuove soluzioni di SK Hynix supportano una velocità di trasferimento fino a 3200 Mbps. L’azienda ha reso noto che è riuscita a migliorare velocità di trasferimento e stabilità raddoppiano il segnale di clock attraverso l’uso di uno schema di clock a quattro fasi.

Per ridurre ulteriormente il consumo energetico e prevenire gli errori, SK Hynix ha migliorato la struttura dei transistor e inserito la tecnologia Sense Amp. Control, grazie alla quale è possibile migliorare le prestazioni del sense amplifier. L’azienda ha anche inserito un alimentatore a bassa potenza per prevenire consumi imprevisti.

“Le nuove DRAM offrono densità e prestazioni ottimali per i nostri clienti” ha dichiarato Sean Kim, vicepresidente di SK Hynix e capo della divisione marketing DRAM. “SK Hynix ha intenzione di iniziare le spedizioni già dal primo trimestre del prossimo anno, così da rispondere alle richieste del mercato”.

SK Hynix ha intenzione di usare la sua tecnologia 1Ynm inizialmente per le memorie server e PC, per poi espandersi in altri settori, come ad esempio quello dei dispositivi portatili.