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TSMC inaugura la sua nuova fabbrica destinata ai chip del futuro

Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. questa settimana ha tenuto una cerimonia per l’inaugurazione del suo nuovo impianto di produzione presso il Southern Taiwan Science Park vicino a Tainan. La fabbrica dovrebbe iniziare la realizzazione in serie di chip utilizzando la tecnologia di processo N3 nella seconda metà del 2022.

TSMC ha iniziato a costruire l’impianto alla fine di ottobre 2019. L’azienda inizierà a trasferire le attrezzature nel corso dei prossimi mesi e la fabbrica sarà completata in 1-1,5 anni a partire da quel momento. Mark Liu, presidente di TSMC, ha dichiarato alla cerimonia che l’impianto avrà una capacità di produzione di circa 55.000 wafer da 300mm al mese (WSPM) utilizzando il processo di fabbricazione 3N, quando esso diventerà pienamente operativo nella seconda metà del 2022.

TSMC

Alla compagnia è stato permesso di iniziare la costruzione nel 2018 e, a quel tempo, il costo era stimato pari a 19,5 miliardi di dollari. Tuttavia, poiché TSMC di solito costruisce i cosiddetti “gigafab” (impianti di produzione di semiconduttori con una capacità di produzione di oltre 100.000 WSPM), è probabile che si tratti della prima fase di un grande progetto.

TSMC gestisce già gli impianti di produzione Fab 14 e Fab 18 (che devono ancora essere completamente costruiti), dove sono impiegate circa 15.000 persone, presso il Southern Taiwan Science Park vicino a Tainan, quindi il nuovo stabilimento completerà l’opera. Dopo che Fab 18 sarà completamente costruito e la nuova struttura diventerà operativa, il numero di dipendenti TSMC nell’area di Tainan aumenterà a circa 20.000.

Il processo di fabbricazione N3 di TSMC utilizzerà strutture a transistor FinFET ed è progettato per la realizzazione di componenti sia per il mercato mobile che per quello ad alte prestazioni. La tecnologia di produzione a 3nm promette di fornire un aumento delle performance fino al 15% (a parità di potenza e numero di transistor), una riduzione di potenza fino al 30% (a parità di clock e complessità) ed una maggiore densità logica sino al 70%. Si dice che il nuovo nodo utilizzi la “extreme ultraviolet lithography” (EUVL) fino a “oltre 20 strati”, metodo non impiegato da alcun altro processo di produzione sino ad ora.

All’inizio di questo mese era emerso che TSMC aveva effettuato un ordine consistente di scanner Twinscan NXE extreme ultraviolet (EUV) di ASML che sicuramente saranno utilizzati in questo nuovo impianto di produzione.

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