Hynix Semiconductor ha annunciato di essere riuscita a produrre la prima DRAM mobile da 2Gb, usando il processo produttivo a 54 nm.
Questo prodotto raddoppia l'attuale densità disponibile per le soluzioni mobili. La velocità operativa arriva a 400Mbps, con una tensione di alimentazione di 1,2 Volt, e permette di elaborare fino a 1,6 GB di dati al secondo, con un interfaccia I/O a 32 bit. Ciliegina sulla torta, in consumi si riducono.
Il prodotto soddisfa le specifiche JEDEC, ed è pensato per la prossima generazione di MID (Mobile Internet Devices) e UMPC (Ultra Mobile PC), e per tutti quei prodotti che richiedono alte densità.
La produzione di massa dovrebbe cominciare durante la prima metà del 2009.
Queste nuove memorie dovrebbero permettere di ottenere prestazioni migliori dai dispositivi mobile in generale, in particolar modo per quanto riguarda gli smartphone. Non è da escludere, quindi, che verso la fine dell'anno prossimo avremo prodotti molto più prestanti, e quindi nuove possibilità di utilizzo.
