Hynix Semiconductor ha annunciato di aver completato con successo lo sviluppo di chip di memoria DDR3 da 1 gigabit con il processo produttivo a 40 nanometri. I nuovi chip da 1Gb rispettano le specifiche Intel DDR3 e saranno esaminati dal produttore di microprocessori per la certificazione. Le nuove DDR3 da 1 Gb raggiungono una velocità massima di 2133Mbps (megabit al secondo) e operano con un'ampia gamma di tensioni. La produzione di massa è attesa per il terzo trimestre.
Grazie alla tecnologia del transistor tridimensionale, il prodotto riduce al minimo la dispersione di corrente e i consumi generali. Ricordiamo che poco tempo fa Samsung ha presentato chip DDR3 da 4 Gbit, ma realizzati con il più comune processo produttivo a 50 nanometri.