Memorie

RAM DDR5, incredibilmente più veloci delle DDR4 in questi test

Longsys, produttore cinese di memorie, ha diffuso in rete da poche ore i primi risultati dei test effettuati su delle memorie appartenenti alla nuova generazione DDR5. I benchmark sono stati effettuati su una piattaforma basata sui nuovi processori della piattaforma Alder Lake di Intel. I moduli di memoria testati sono stati due, uno single Rank da 16GB (JDEC R / C A 0.50) ed uno dual-rank da 32GB (JDEC R / C B 0.51). Entrambe le versioni testate raggiungono una frequenza di 4800 MHz e fanno uso di moduli da 16 Gb (2 x 8Gb) con delle tensioni variabili tra 1,1/1,1/1,8 V (VDD/VDDQ/VPP) con memory timing CL40 (40-40-40-77). Le memorie DDR5 prodotte dalla Longsys utilizzano un design del PCB a 8 strati che misura 133,35×31,25×1,27 mm.

La piattaforma di test utilizzata dalla casa produttrice è basata sulla developement kit board per Intel Alder Lake, su cui era installata una CPU dotata di 8 core con un clock di 0,8 GHz. Per le prove inoltre è stato utilizzato Windows 10 64-bit con memorie dual-rank, in grado di offrire su un singolo modulo 2 canali DRAM indipendenti.

I risultati ottenuti sono stati molto incoraggianti, visto che le memorie nei test hanno ottenuto un punteggio di oltre 190.000 punti. Per avere un confronto, le memorie Longsys DDR4 hanno ottenuto un punteggio di soli 91.757 punti, quindi l’incremento prestazionale è notevole (+53%) e non può che migliorare ulteriormente, visto che si tratta ancora di engeneering sample. Nella prova con AIDA 64 invece, le nuove memorie DDR5 hanno ottenuto dei punteggi differenti, che rendono meno marcato il divario tra le due generazioni. Il miglioramento vede comunque un +27% in scrittura, +28% in lettura e +10% nei copy test.

Non si può però dire lo stesso dei tempi di latenza, visto che in tutte le situazioni le DDR5 si comportano peggio delle DDR4, ma il motivo è semplice: la memoria DDR5 è dual-rank e può avere prestazioni peggiori rispetto ai modelli DDR4 single-rank. Le nuove memoria DDR5 supporteranno inoltre la tecnologia ECC (on-die), 16n prefetch mode, il doppio dei banchi per modulo, due canali indipendenti a 32bit per modulo DIMM dual-rank, una modalità di ricezione end-to-end migliorata ed una modalità di aggiornamento sincrona per i banchi.

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