Samsung ha presentato una serie di moduli da memoria DDR3 da 8GB basati su tecnologia 3D stacking, conosciuta anche come through silicon via (TSV). Secondo l'azienda la TSV è una tecnologia chiave per ridurre i consumi, aumentare la capacità e migliorare le prestazioni delle memoria per server.
Le nuove RDIMM da 8GB richiedono il 40 percento di energia in meno rispetto alle soluzioni tradizionali. La tecnologia TSV consentirà , secondo Samsung, di supplire all'attesa riduzione del numero di slot di memoria nei server di prossima generazione. "A fronte di un calo del 30 percento degli slot di memoria nei futuri server, la tecnologia TSV sarà in grado di aumentare la densità delle DRAM di oltre il 50%", ha affermato l'azienda.
Questi moduli sono realizzati a 40 nanometri, ma Samsung ha intenzione di produrre soluzioni di questo genere anche a 30 nanometri e processi inferiori. La tecnologia TSV dovrebbe trovare un'adozione più estesa nel settore delle memorie nel corso del 2012.