Samsung Electronics ha annunciato l’avvio della produzione di massa di una memoria “2 in 1” che permette di avere 12 GB di LPDDR4X accanto a una memoria NAND eUFS 3.0 su un singolo package - l’azienda parla di soluzione uMCP.
Questa nuova memoria arriva dopo circa 7 mesi dal lancio di un package di memoria LPDDR4X da 12 GB basato su DRAM con densità di 16 gigabit. Questa volta l’azienda si è avvalsa di chip da 24 gigabit, per l’esattezza quattro (3 GB x 4) realizzati con processo produttivo a 1y nanometri. Non è chiaro invece che capacità abbia la NAND eUFS 3.0 a bordo.
Obiettivo di mercato di questa nuova soluzione di memoria sono gli smartphone di fascia alta, ma potenzialmente anche soluzioni di fascia media e molti dispositivi 2 in 1, dove le memorie a basso consumo trovano sempre più spazio grazie a un buon compromesso tra velocità, richiesta energetica e dimensioni.
“Con una tendenza sempre più marcata verso gli smartphone di grandi dimensioni con schermi ad alta risoluzione, più utenti beneficeranno di questa soluzione uMCP per svolgere operazioni intensive o multitasking”, sottolinea Samsung.
“Con il 50% in più della capacità rispetto al precedente package da 8 GB e la velocità di trasferimento di 4266 megabit al secondo, la nuova proposta garantisce la possibilità di registrare video 4K, intelligenza artificiale e machine learning potenzialmente anche su smartphone di fascia media”.
Oltre alla LPDDR4X uMCP da 12 GB, l’azienda sudcoreana porterà sul mercato anche una proposta da 10 GB composta da due chip da 24 gigabit (3 GB x 2), due da 16 GB (2 GB x 2) e memoria eUFS 3.0. La nuova offerta troverà spazio tanto nella gamma di prodotti Samsung quanto quella di altre aziende, ma al momento non ci sono ulteriori informazioni.