Secondo un articolo del DigiTimes Samsung Electronics sarebbe pronta a impiegare un'architettura a doppio stack per la sua memoria 3D-NAND di 9a generazione, quando inizierà la produzione il prossimo anno. Questo differenzia Samsung da SK Hynix, che utilizzerà tre stack di NAND per costruire i suoi dispositivi 3D NAND a 321 strati quando entreranno in produzione di massa nella prima metà del 2025.
La 9a generazione di V-NAND di Samsung, con oltre 300 strati, si baserà sulla tecnica del double-stack, che Samsung ha adottato per la prima volta nel 2020 con i chip 3D NAND di 7a generazione a 176 strati. Questo metodo prevede la produzione di uno stack 3D NAND su un wafer da 300 mm e la successiva costruzione di un altro stack sopra il primo. La 3D NAND a 300 strati di Samsung aumenterà la densità di archiviazione prodotta su un wafer e consentirà ai produttori di realizzare SSD ancora più economici rispetto a oggi.
Stando alle fonti, Samsung sarà già pronta nel 2024.
Al contrario, la rivale SK Hynix ha rivelato l'intenzione di avviare la produzione della sua NAND 3D a 321 strati nel 2025 utilizzando un approccio a triplo stack. Questa procedura, diversa da quella di Samsung, comporterà la creazione di tre serie distinte di strati 3D NAND, il che aumenterà il numero di passaggi e l'utilizzo di materie prime, ma ha lo scopo di massimizzare i rendimenti.
Attualmente circolano speculazioni secondo cui, dopo la NAND 3D di 9a generazione, Samsung potrebbe adottare una metodologia a tripla pila per la sua NAND 3D di 10a generazione a 430 strati. Alcuni esperti hanno dichiarato al Seoul Economic Daily che il superamento dei 400 strati di 3D NAND richiederebbe l'utilizzo di tre stack separati di 3D NAND, probabilmente per motivi di resa. Nel frattempo, questo aumenterà naturalmente l'utilizzo di materie prime e i costi per wafer 3D NAND.
La visione a lungo termine di Samsung, presentata al Samsung Tech Day 2022 lo scorso ottobre, aspira a raggiungere i 1.000 strati entro il 2030.
