Velocità vs. latenza: fatti e misfatti

Abbiamo provato dieci kit di memorie RAM DDR-1333, spingendole al massimo per valutarne le prestazioni. Vale la pena passare alle DDR3?

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a cura di Tom's Hardware

Velocità vs. latenza: fatti e misfatti

Ogni nuovo formato porta che sè, nelle sue fasi iniziali, a latenze di clock ridotte, almento questo è quanto dice il mito

Prendete, ad esempio, le latenze dei più recenti formati di memoria: le DDR-333 erano attestate a CAS 2; le DDR2-667 a CAS 4 e le attuali DDR3-1333 arrivano molto spesso a CAS 8. Al contrario di quello che molti pensano, questi timing così differenti danno lo stesso tempo di risposta, 12 nanosecondi.

Il tempo di un ciclo è l'inverso della frequenza (1/2 della velocità, dovuto alla forma dell'onda), quindi le DDR-333 completano un ciclo ogni sei nanosecondi, le DDR2-667 ogni tre nanosecondi e le DDR3-1333 ogni 1.5 nanosecondi. La latenza è misurata in cicli di clock; due cicli di 6 ns si completano nello stesso tempo in cui si completano quattro cicli da 3 ns, oppure otto cicli da 1.5 ns. Se avete ancora dei dubbi, fate i conti!

I meno informati ritengono che le memorie più veloci rispondano più lentamente. Gli esempi che abbiamo fornito ci dicono che non è vero. Il problema reale non sono i tempi di risposta più bassi, ma il fatto che falliscono quando lavorano più velocemente! Quando vediamo velocità astronomiche, speriamo che tutto il sistema diventi più reattivo. Le latenze della memoria, però, sono un campo dove le cose non sono cambiate molto, negli ultimi tempi.

Continuiamo a sperare di trovare qualche modulo realmente veloce. I test di questo articolo includono sia le velocità più elevate, sia le configurazioni con le latenze più basse. Abbiamo sempre tenuto in conto la stabilità, come parametro fondamentale.

Cosa sono tutti questi numeri?

La latenza è misurata, ripetiamo, in cicli di clock anziché in tempo; ma a che cosa si riferiscono tutti questi numeri? Molti consumatori guardano solamente ai primi quattro valori di latenza, che appaiono in ordine d'importanza, come ad esempio i timing  9-9-9-24 nelle memorie DDR3 ad alta velocità. Questi timing messi in fila si riferiscono a CAS Latency (tCL), RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge Time (tRP) e Active Precharge Delay (tRAS).